ivdon3@bk.ru
В работе рассмотрен механизм формирования поликристаллического гексагонального феррита бария. Рассмотрено влияние легирующих добавок на расположение ионов Fe3+ в гексагональном блоке R и на границе гексагонального и шпинельного блоков (RS). Показано, что именно наличие слабомагнитных или диамагнитных ионов легирующих добавок в этих позициях обеспечивает специфические свойства гексагональных ферритов и их практическое использование.
Ключевые слова: гексаферрит бария, легирующая добавка, магнитные свойства, механизм формирования, анизотропия, поликристалл, намагниченность, мессбауэровская спектроскопия, коэрцитивная сила, температура Кюри
01.04.07 - Физика конденсированного состояния , 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах
Методами распыления в поперечном ВЧ-разряде, вакуумной лазерной абляции и химического осаждения из газовой фазы металлоорганических соединений на монокристаллических пластинах-подложках (001) SrTiO3, (100) MgO и (100) Al2O3 получены наноразмерные пленки мультиферроиков BiFeO3, (BiLa)FeO3 и (BiNd)FeO3 толщиной 30 - 300 нм с различной концентрацией ионов Bi, La и Nd в додекаэдрической подрешетке. В работе также впервые изучено влияние обработки в отрицательном коронном разряде на магнитные свойства полученных пленок мультиферроиков.
Ключевые слова: Мультиферроики, магнитоэлектрические материалы, методы получения, пленки, феррит висмута, псевдоморфная структура, магнитные свойства, коронный разряд
01.04.10 - Физика полупроводников , 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах
Методами оптической спектрофотометрии и спектрального анализа в диапазоне длин волн 0,2 – 0,87 мкм исследованы центры окраски (ЦО) в кристаллах редкоземельных галлиевых гранатов (РЗГГ) Gd3Ga5O12 (ГГГ), Gd3Sc1,6Ga3,4O12 (ГСГГ) и Nd3Ga5O12 (НГГ), выращенных по методу Чохральского. Впервые обнаружено, что при выдержке объектов исследования в темноте, в кристаллах ГГГ и ГСГГ образуются нестабильные ЦО с максимумами поглощения λmax1 = 0,243 мкм и λmax2 = 0,275 мкм и концентрацией N ~ 1018 см-3. Предполагается, что обнаруженные ЦО соответствуют дырочным центрам O- , связанным с вакансиями галлия V3-Ga3+ в тетраэдрических и октаэдрических узлах кристаллической решетки, соответственно, и образующимся вблизи комплексов [V3-Ga3+ - V2+O2- ]
Ключевые слова: центры окраски, редкоземельные галлиевые гранаты, кристыллы, метод Чохральского, кристаллическая решетка
01.04.10 - Физика полупроводников , 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах
На сегодняшний день основным методом серийного производства современных функциональных материалов различного назначения является керамическая технология. При изготовлении многокомпонентных оксидных соединений с использованием керами-ческой технологии трудно достичь высокой однородности химического состава. Для активации смеси исходных компонентов и повышения ее однородности используются химические (соосаждение солей или гидроокисей, распылительная сушка, криохимия) и физические (механо-химический, микроволновой, ультразвуковой) методы. В работе приведены результаты работы по получению Ni-Zn- ферритов марки 2000НН радиационно-термическим спеканием. Исследовано влияние базового состава и легирующих добавок на электромагнитные свойства полученных ферритов. Подтверждена эффективность использования поверхностно-активных добавок для повышения плотности сырых заготовок и уровня параметров. Предложена модель, объясняющая эффективность использования легирующих добавок при радиационно-термическим спекании.
Ключевые слова: никель-цинковый феррит, радиационно-термическое спекание, базовый состав, легирующие добавки, магнитная проницаемость
01.04.10 - Физика полупроводников , 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах
К перспективным радиопоглощающим материалам наряду с Ni-Zn-ферритами относятся Mg-Zn-ферриты, поскольку они также весьма интенсивно поглощают электромагнитные волны в интервале частот от 50 МГц до 1000 МГц. Основным преимуществом Mg-Zn-ферритов является использование в качестве сырья недорогого оксида магния. В работе приведены результаты исследований по повышению эффективности широкополосных радиопоглощающих магний-цинковых ферритов путем увеличения вклада диэлектрических потерь. Исследовано влияние легирующих добавок и газового режима атмосферы при охлаждении после радиационно-термического спекания на поглощение электромагнитных волн. Подтверждена эффективность охлаждения изделий после спекания в атмосфере с пониженным парциальным давлением кислорода с целью повышения диэлектрической проницаемости. Предложена модель, объясняющая увеличение диэлектрических потерь при охлаждении ферритов в восстановительной атмосфере.
Ключевые слова: радиопоглощающие ферриты, микроструктура, границы зерен, радиотехнические измерения, радиационно-термическое спекание
01.04.10 - Физика полупроводников , 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах
Настоящая работа посвящена изучению спектров термостимулированного тока проводимости образцов феррит-гранатовых пленок (TmBi)3(FeGa)5O12:Ca2+ с целью выявления в них электрически активных центров. Объекты исследования были получены методом ЖФЭ из раствора в расплаве на подложках Gd3Ga5O12 кристаллографической ориентации <111> при использовании бессвинцового Bi-содержащего флюса. Увеличение концентрации ионов Ca2+ в пленках достигали путем увеличения в растворе-расплаве концентрации CaO. Исследуемые пленки содержали ионы Ca2+ от 0,03 форм. ед. до 0,1 форм. ед. На универсальной установке термоактивационной токовой спектроскопии получены спектры исходных образцов и образцов, возбужденных воздействием ультрафиолетового облучения или обработкой в отрицательном коронном разряде. Проведен расчет параметров электрически активных дефектов и других электрофизических параметров.
Ключевые слова: термостимулированный ток проводимости, пленки ферритов-гранатов, электрически активные центры, глубокие уровни захвата, механизмы зарядовой компенсации, легирование кальцием, ТСТП-спектр, температурное положение
01.04.10 - Физика полупроводников , 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах