ivdon3@bk.ru
Методом импульсного лазерного напыления изготовлен чувствительный элемент сенсора CO, встроенного в устройство на поверхностных акустических волнах. Для контроля дефектности по кислороду связанных решеток наностержней оксида цинка используется метод фотолюминесценции. Показано, что изменением температуры синтеза наностержней при высоком давлении аргона от 850 до 915 °C можно повышать дефектность наностержней оксида цинка по кислороду, контролируя ее по увеличению отношения интенсивности излучения в видимой области к интенсивности свечения в ультрафиолетовой области спектра, и тем самым повышать чувствительность к CO.
Ключевые слова: ZnO наностержни, фотолюминесценция, сенсор CO
Предложено использовать датчик на поверхностных акустических волнах (ПАВ), представляющий собой линию задержки с однонаправленными встречно-штыревыми преобразователями (ВШП) для измерения давления в жидкости. Отражательный ВШП нагружен на последовательно соединенные индуктивность и две емкости. Одна из этих емкостей – это подстроечный конденсатор, а другая - мембранный конденсатор, емкость которого зависит от давления. При изменении давления меняется емкость мембранного конденсатора, что приводит к изменению коэффициента отражения от отражательного ВШП. По величине изменения этого коэффициента определяется давление, прилагаемое к мембранному конденсатору.
Ключевые слова: Датчик, давление, поверхностные акустические волны, импульсный отклик, жидкость
Разработана конструкция ПАВ сенсора CO. Датчик на ПАВ содержит приемопередающий ВШП и отражательный ВШП, который нагружен на импеданс наностержней оксида цинка. В результате Фурье преобразования временной зависимости импульсного отклика отчетливо виден пик отражения ПАВ от ВШП, нагруженного на сопротивление параллельно соединенных ZnO наностержней, величина которого зависит от концентрации CO.
Ключевые слова: ZnO наностержни, устройство на поверхностных акустических волнах, сенсор CO
Рассмотрена конструкция датчика на поверхностных акустических волнах (ПАВ) для измерения параметров газовых и жидких сред, представляющего линию задержки с однонаправленными встречно-штыревыми преобразователями (ВШП). Исследован коэффициент отражения ПАВ от однонаправленного ВШП, нагруженного на изменяющийся импеданс. На зависимости коэффициента отражения от величины сопротивления имеется почти линейный участок при значениях сопротивления более 50 Ом. Разработана новая конструкция и методика получения связанных решеток наностержней оксида цинка, имеющих общее сопротивление в диапазоне 50-250 Ом, которая подключается к отражательному ВШП в качестве нагрузки.
Ключевые слова: пассивные датчики, ZnO нанопровода,поверхностные акустические волны, встречно-штыревой преобразователь.
Ключевые слова:
01.04.07 - Физика конденсированного состояния , 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах
Сведения об авторах выпуска №4 (часть 1), 2012
Ключевые слова: авторы
Сведения об авторах выпуска №2 за 2012 год
Ключевые слова: авторы