Исследование быстродействия SiGe ГБТ при переходе к суб-100 нм проектной норме
Аннотация
Дата поступления статьи: 10.07.2015В работе рассмотрено влияние масштабирования n-p-n SiGe гетеропереходного биполярного транзистора (ГБТ) на его динамические характеристики. Продемонстрированы изменения максимальной и граничной частот прибора при переходе от технологии БиКМОП с проектной нормой 0,18 мкм к проектной норме 0,09 мкм, а также их зависимость от конструктивно-технологических вариаций прибора.
Ключевые слова: кремний-германий, SiGe ГБТ, БиКМОП, быстродействие